Wafer Sapphire

Forbhreathnú

Comhpháirt cheimiceach

Al₂O₃

Modhanna fáis

ciorópoulos

Struchtúr criostalach

heicseagán

a = b = 4.77 A

c = 13.04 A

Fuinneamh teirmeach

Leáphointe

2050 céim

Comhéifeacht leathnú líneach

6.7 x 10-6 / céim comhthreomhar leis an ais С

5.0 x 10-6 / céim ingearach leis an ais С

Comhéifeacht seoltacht teasa

46.06 W/(mK) (0 céim )

Fuinneamh Meicniúil

Dlús

3.98 g/cm3

Cruas

masa: 9

knoop: 1900 comhthreomhar leis an ais С

2200 ingearach leis an ais С

Neart teanntachta

400 mpa (25 céim), 275 mpa (500 céim), 345 mpa (1000 céim)

Neart lúbthachta

450 - 895 mpa

Strus comhbhrúite

2.0 gpa

Modal Young

345 gpa

Soláthar Leictreach

Tréscaoilteacht mhaighnéadach trí mheán leictreachais

9.3 (103 - 109 Hz, 25 céim ) ingearach leis an ais С

11.5 (103 - 109 Hz, 25 céim ) comhthreomhar leis an ais С

Friotaíocht

1016 Оhm·сm (25 céim )

1011 Оhm·сm (500 céim )

106 om·сm (1000 céim )

Friotaíocht teocht ard

Ní leánn sé ach ag 2050 céim. támh go ceimiceach ag teochtaí arda

Sturdy agus durable

scratch-resistant (gach ábhar seachas diamant)

resistant brú ard

friotaíocht a chaitheamh

fhulaingt timpeallachtaí is déine

saol seirbhíse fada, m.sh. cúig huaire an fad Grianchloch

íonacht cheimiceach ard

An raon tarchur solais ó ultraivialait go infridhearg

80~90% i 0.25 ~~ 4.50 um

Seoltacht teirmeach ard

teas agus fuarú tapa a sholáthar